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2021年7月5日 碳化硅是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三，成为制备高压及高频器件新的衬底材料。 碳化 2024年9月13日 硅因其卓越的性能，已成为最广泛使用的半导体材料，目前超过95%的半导体器件和超过99%的集成电路都是由硅材料制成的。. 尽管在21世纪，硅在半导体行业的领导和核 详解第三代半导体材料：碳化硅和氮化镓 - 腾讯网
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2021年8月16日 碳化硅的优势. 硅，是制造半导体芯片及器件最为主要的原材料，因自然界储量大、制备相对简单等优点，成为了目前制造半导体芯片和器件最为主要的原材料，目前90%以上的半导体产品是以硅为衬底制成的。 然而受材 2021年6月11日 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体： 将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 知乎
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2022年10月9日 1 碳化硅：第三代半导体突破性材料. 1.1 优质的新型半导体衬底材料. 半导体材料根据时间先后可以分为三代。. 第一代为锗、硅等普通单质材料，其 特点为开关便捷，一般多用于集成电路。. 第二代为砷化镓、磷化铟等化 2024年2月5日 作为第三代半导体材料，碳化硅晶体是新能源汽车、光伏和5G通信等行业急需的战略性半导体材料，是材料领域发展最快、国际竞争最激烈的方向之一。目前已发现的碳化硅 【中国科学报】20余年坚守创新 他为国产碳化硅“开路”
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2024年10月15日 SiC（碳化硅）作为一种新型的功能陶瓷材料，因其独特的物理和化学性质，在多个科技和工业领域得到了广泛的应用。本文将侧重于SiC材料的最新研究进展及其在各个领 2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 国家自然科学基金 ...
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2020年9月21日 碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。 资料来源：Yole 中新网辽宁新闻9月21日电(记者赵桂华)2024辽宁沈阳“新型碳化硅材料前沿技术”交流大会，9月21日在沈阳市召开。10位来自国内碳化硅领域顶级专家，围绕碳化硅研究及应用等领域新成果、新突破进行了深入探讨，助推新民市国内唯一的碳化硅全产业链发展壮大。新材料 新视野！国内碳化硅领域“大咖”齐聚沈阳 助力新民打造 ...
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2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新2024年4月15日 当前，新型电力系统所采用的碳化硅器件分成两类，一类是中低压的SiC MOSFET器件，电压范围为1200V-6500V。这类碳化硅器件主要用在配电网，比如分布能源的光伏逆变器、储能PCS 等。需求放量是在未来配网实现 话题｜碳化硅在新型电力系统中的应用与可靠性研究
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2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进”，如今已经从6吋向8吋（为6吋的1.8倍）过渡。2024年5月16日 提出了一种新型的4H-碳化硅功率异质结隧道晶体管（4H-SiC power HETT）结构，并通过校准工艺和特性仿真进行了演示。 该结构具有低特异导通电阻（RON,sp）1.56 mΩcm²、1460 V击穿电压（BV）以及低正向压降（V_F）1.4 V，达到了结势垒肖特基二极管（JBS二极管）的水平。新型功率多晶硅/碳化硅异质结隧道晶体管结构的理论与设计
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2015年1月28日 第一章绪论第一章绪论1．1碳化硅材料以及碳化硅MESFETs的优势和研究意义微波／毫米波器件和电路是当今微电子技术的重要发展方向。目前，微波功率放大系统主要的发展趋势是增大频谱宽度，增大功率及效率，减小器件和电路体积、重量和制造成本川。第一代硅、锗和第二代GaAs、InP等半导体材料 ...2024年1月13日 2.根据权利要求1所述的一种新型碳化硅降膜吸收器，其特征在于：所述上封头(9)顶部设有气体进口，所述喷淋管(8)外壁一侧设有吸收液进口，所述钢质壳体(3)外壁一侧底部设有冷凝剂进口，所述钢质壳体(3) ...一种新型碳化硅降膜吸收器 - 豆丁网
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2024年9月10日 目前，碳化硅材料成为诸多高科技领域中不可替代和最有前景的新材料，其高技术含量和高附加值以及广阔的应用前景，已形成了千亿级的新型产业。 为推动碳化硅材料及产业的高质量发展， 碳化硅材料前沿技术与产业发展高峰论坛，将于2024年8月27日在深圳隆重召开。2024年1月5日 无锡市伟业化工防腐设备厂主营:新型搪玻璃列管式换热器,搪玻璃冷凝器,碳化硅冷凝器等产品,厂家一手货源,质量可靠,价格合理,型号齐全,应用范围广,售后无忧.如有合作意向,欢迎您致电15895315293.新型搪玻璃列管式换热器-搪玻璃冷凝器价格-碳化硅冷凝器 ...
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9月21日，2024辽宁沈阳“新型碳化硅材料前沿技术”交流大会在新民市举行。 本次交流大会由沈阳星光技术陶瓷有限公司、中国机械工程学会材料分会举办，是一场行业内部互通有无，实现资源、技术相互交流，前沿科技相互学习的行业盛会。2022年7月22日 为了解决上述问题，充分发挥碳化硅芯片潜在的巨大优势，近年来出现了许多针对碳化硅功率模块的新型 封装技术和方案，重点关注碳化硅功率模块封装中面临的电、热以及绝缘方面的挑战。本文从优化设计方法所依据的基 碳化硅功率模块封装技术综述 - 知乎
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2016年6月22日 “新型碳化硅 多孔陶瓷制品在燃煤电厂脱硫系统耐蚀耐磨管道等诸多领域有着广阔的应用前景，可有效提升我国耐蚀耐磨管道的性能，极大节约资源和能源，特别是对国内火电厂降低运行成本和节能环保达标将起到推动作用。”中国腐蚀与防护 ...2024年4月16日 碳化硅在新型电力体系中的应用-目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作为开关。如IGCT其耐压可达6.5kV，通断电流可达4000A。但在输电系统中，其电压电流等级仍然偏小，需要依靠多电平拓扑或器件串联，来提高耐压能力。碳化硅在新型电力体系中的应用 - 模拟技术 - 电子发烧友网
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2020年1月2日 新型碳化硅超高压器件终端技术 在碳化硅 IGBT的研制过程中，离子注入掺杂工艺在器件外围形成球面结和柱面结，因此需要设计有效的终端结构来提高高压碳化硅器件的击穿能力。常用于碳化硅终端技术的结构包括结终端扩展（JTE）、场限环（GR）、场板等。2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10 吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进 ...高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可用于 ...
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2018年7月6日 碳化硅 器件的新型晶圆 切割方法 随着向SiC等新衬底，以及更薄晶圆，更小特征 尺寸和更大尺寸衬底的转变，晶圆切割已经演变 成能够提高SiC器件良率的关键工艺步骤。3D-Micromac AG公司的Hans-Ulrich Zuehlke 博士和Mandy Gebhardt博士如是说。2024年9月25日 该眼镜的首次公开亮相，标志着“极致轻薄无彩虹纹碳化硅 AR 衍射光波导”科技成果的全球首发。其配备的碳化硅 AR 镜片单片重 2.7 克，厚度仅 0.55 毫米，比太阳眼镜还要薄。同时，其实现了大视场角的单片全彩显示 ...我国科学家实现AR眼镜关键技术突破：新型碳化硅镜片厚度 ...
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2005年5月1日 摘要 以碳化硅为无机基体制备了新型碳化硅/聚吡咯（SiC/PPy）导电复合材料。以氯化铁为氧化剂，通过吡咯的氧化聚合在水 ...2020年4月30日 以上就是芯光润泽公司提出的新型碳化硅MOSFET 器件及其制备方法，在国际半导体市场持续保持高速增长而国内市场自给率不足的情况下，相信厦门芯光润泽科技能够通过技术创新找到我国芯片产业健康发展的突破口，成为中国半导体行业和企业的 ...厦门芯光润泽新型碳化硅MOSFET器件 - 腾讯网
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2023年12月26日 光耦合器SSR技术的当前趋势高速切换：配备先进光耦合器的现代SSR可提供更快的响应时间，使其成为数据传输和电机控制等高频应用的理想选择。提高效率：氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等新型半导体材料可改善热管 2022年1月19日 随着近年来我国航天事业不断取得突破性进展，多次载人航天工程完美发射的成功离不开众多新材料的支撑。其中，被用于天和太阳能帆板的就是碳化硅增强铝基复合材料，关于这种新材料你了解多少呢？ 铝碳化 新型铝基碳化硅材料（AISIC）制备方法及SICP新型
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2021年7月23日 当前多种材料被发展，如铌酸锂(LiNbO₃) 、磷化铟(InP) 、氮化硅(Si₃N₄) 、碳化硅(SiC) 等。表1对比了Si、LiNbO₃、Si₃N₄和SiC的相关光子学性能，其中SiC几乎符合上述所有的光子学特性，因此SiC被认为是一个极具潜 2024年6月19日 讲座题目 新型高效碳化硅衬底抛光液的研究进展 演讲嘉宾 孙秀岩/夏俊东 讲座时间 2024 年 6 月 20 日 9: 00 - 11: 30 讲 座地点 深圳大学沧海校区致信楼 S512 邀请人 赵泽佳 老师 报告简介 碳化硅材料相较于传统硅基器件，其功率密度、开关效率和器件 ...学术讲座 新型高效碳化硅衬底抛光液的研究进展-深圳大学 ...
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2020年5月19日 新型高温高压碳化硅IGBT器件将对大功率应用，特别是电力系统的应用产生重大的影响。 在15kV以上的应用领域，碳化硅IGBT综合了功耗低和开关速度快的特点，相对于碳化硅的MOSFET以及硅基的IGBT、晶闸 管等器件具有显著的技术优势，特别适用于高压电力系统 应用 2023年11月17日 器件端：基于先进碳化硅材料生长和工艺技术的新型 碳化硅器件 工艺端：面向下一代碳化硅器件的新制造及封装工艺 一个冷知识：国内碳化硅产业链其实比硅更加完整，几乎做到全国产，性能上存在的一些差距也正迅速缩小。国内最新一代的 ...报告分享复旦大学研究员雷光寅博士：碳化硅功率器件现状及 ...
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2024年1月25日 碳化硅陶瓷材料在光伏行业中具有广泛的应用前景，如光伏电池组件、支架和逆变器等。陶瓷雕铣机加工碳化硅精密陶瓷件具有高精度、高效率、低成本和环保等优势。随着光伏行业的不断发展，碳化硅陶瓷材料的应用将更加广泛，加工技术也将得到进一步发展。2020年3月16日 摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)器件作为一种宽禁带半导 体器件，具有耐高压、高温，导通电阻低等优点。近20 年 来，SiC 器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点，该 文对近些年来不同SiC 器件的发展进行分类梳理，介绍二极碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE
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2024年7月11日 近年来，高性能碳化硅陶瓷纤维制备和应用的研究愈加广泛、深入，超高温陶瓷纤维、复合碳化物陶瓷纤维等新型陶瓷纤维相关报道也越来越多。 因此，为帮助相关研究者更快了解碳化物陶瓷纤维的研究现状和发展趋势，对其进行阶段性总结十分必要。2022年10月3日 图 3：Rohm 的新型第四代 SiC MOSFET（来源：TechInsights ） 与第 3 代器件相比，第 4 代器件有一些相似之处，也有一些显著的差异。相似的是 ROHM 采用传统沟槽 MOSFET 设计的方法，在栅极沟槽的两个侧壁上都有通道。然而，现在，每个栅极沟槽的 ...碳化硅（SiC）纵览—第 4 期：罗姆第四代 SiC MOSFET ...
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