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2024年10月16日 今年以来,主流6英寸碳化硅(SiC)基板价格持续下滑,随着中国SiC基板供应商扩大生产,预计价格还将继续走低。2024年中期,6英寸SiC基板的价格跌至每片500美元以 2021年7月5日 碳化硅器件具备足够多的优势,但价格相较于传统硅基器件仍然偏高。从衬底角度来看,受碳化硅生长速度较慢的影响,一片6寸的碳化硅晶圆价格在 1000 美元以上,是同尺寸硅晶圆价格的 20 倍以上。因此衬底占据了碳化 揭秘第三代芯片材料碳化硅,国产替代黄金赛道_澎湃
了解更多东尼电子(603595)则在2022年8月的调研中回复,公司刚刚切换了碳化硅的生产路线,其碳化硅项目一直到2023年12月才能投产。 我们可以发现,当前A股的碳化硅标的,要不产能还停留在每个月几千片的水平,要不还在艰难的产能爬坡和 2024年10月16日 今年以来,主流6英寸碳化硅(SiC)基板价格持续下滑,随着中国SiC基板供应商扩大生产,预计价格还将继续走低。 2024年中期,6英寸SiC基板的价格跌至每片500美元 进击的中国碳化硅_澎湃号湃客_澎湃新闻-The Paper
了解更多2022年10月3日 截至 2021 年 9 月,100A 分立式 SiC MOSFET(650V 和 1200V)的零售价几乎是同等性能 Si IGBT 的 3 倍,尽管 SiC 器件在处理过的晶圆上占用的空间减少了 3-4 倍,但成本仍然高昂如此。 造成这种巨大成本差异 2024年8月14日 碳化硅器件制备的完整产业链可分为衬底加工——外延生长——器件设计——制造——封测等步骤,国内目前已催生出一批优质企业并实现碳化硅制造的全产业链覆盖,正在 预见2024:《2024年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模 ...
了解更多2024年8月14日 碳化硅(SiC)行业分析报告:碳化硅化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好。此外,碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级,仅次于世界上最硬的金刚石(10级),具有优良的导热性能。作为第三代半导体核心材料,碳化硅已逐步应用于新能源汽车功率器件、通信基站等领域中。2023年2月26日 衬底环节是碳化硅器件制造中最核心、最困难的环节。碳化硅衬底价格高是制约 碳化硅应用落地的主要原因。由于切片环节良率较低,切抛磨环节约占衬底总成 本的2/3,切磨抛设备是衬底加工最核心的设备,国产化率约20%。根据我们测行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023 ...
了解更多2022年4月24日 摘要:碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能,被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。然而,由于碳化硅为强共价键化合物,且具有低的扩散系数,导致其在制 2023年10月27日 二、行业现状及市场空间 1、全球碳化硅器件市场格局由海外巨头主导 海外企业由于占据先发优势,在技术进展与产能规模上具备一定垄断地位。根据数据,市场份额由海外巨头意法半导体、Wolfspeed、罗姆、英飞凌、三菱电机、安森美等厂商垄断,其中最大的碳化硅器件商为意法半导体,是特斯拉 ...碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
了解更多2022年1月12日 公司下设数家子公司承担碳化硅衬底的研 发、销售、设备材料购买等工作,子公司上海天岳为本次募投项目 6 英寸碳化硅衬底的实施主体;济宁天岳负责碳化 硅晶体材料的生产;上海越服负责碳化硅生产相关原材料及设备的采购;天岳新材料尚未实际开展生产2016年6月3日 铝碳化硅材料因其质轻、强度高、热形变小,初面世,就得到航空、航天领域的重视,用于制作机载相阵控雷达 座、飞机腹鳍、直升机配件等,卫星制造方面也很早 铝碳化硅的生产工艺关键是净成形技术。铝碳化硅不宜采用机械加工方式去加工,其难铝碳化硅(AlSiC)复合材料及产品介绍
了解更多2023年8月29日 同时,我们紧跟碳化硅产业向更大尺寸发展的趋势,研发并交付了8英寸碳化硅外延设备,其具备独特的反应腔室设计、可独立控制的多区进气方式等特点,将更好的提高外延片的均匀性,降低外延缺陷及生产中的耗材成本。目前,该设备已销售多个客户。2023年9月27日 GC-SCDW8300型碳化硅切片机可以降低生产成本。采用碳化硅切片专用金刚线,单片线耗≤700m;使用水基切割液,绿色环保,综合切割成本降低30%以上。公司碳化硅专用金刚线是碳化硅材料切片的专用线材,具有稳定性高、切割效率高、不易断线等优势。碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
了解更多2024年3月20日 今年一季度,碳化硅半导体行业进入传统淡季,然而优晶科技等企业却逆势增长:获得国际巨头8英寸SiC长晶设备订单,同时还将与2家韩国客户签约;获得国内200台设备订单,并且与2家光伏企业签订了碳化硅长晶设备战略合作协议;究竟优晶科技获得了哪家国际巨头的 2020年6月10日 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性,便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除,避免发生爆炸,因为合成IT碳化硅,将会生产约1.4t的一氧化碳(CO)。工业盐(NaCl)的作用是便于除去料中存在的氧化铝、氧化铁等杂质。碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
了解更多2023年12月6日 碳化硅是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。 碳化硅是一种半导体,在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。2023年4月28日 1.1.2.衬底扩径至8英寸是国产碳化硅设备 商的机遇期 参考硅晶圆尺寸发展历程,我们认为 8 英寸衬底将是边际成本递减的拐 点尺寸。将硅晶圆尺寸扩大至 18 英寸后所需的研发支出和固定资产投 入将大幅提升,带来的产 碳化硅衬底切割行业分析报告:8英寸碳化硅衬底的
了解更多2021年7月5日 碳化硅器件具备足够多的优势,但价格相较于传统硅基器件仍然偏高。从衬底角度来看,受碳化硅生长速度较慢的影响,一片6寸的碳化硅晶圆价格在 1000 美元以上,是同尺寸硅晶圆价格的 20 倍以上。因此衬底占据了碳化 2024年9月29日 我的钢铁网为您提供碳化硅今日价格,碳化硅价格多少钱一吨,碳化硅报价表,让您轻松了解碳化硅市场价格 动态,助您快人一步,掌握商机。 无锡 江阴 扬州 常州 镇江 盐城 南通 徐州 泰州 宿迁 连云港 淮安 山东 济南 青岛 淄博 博兴 潍坊 烟台 ...碳化硅价格今日报价表_我的钢铁网
了解更多2019年9月5日 碳化硅功率器件生产过程 衬底方面:通常用Lely法制造,国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡,且已经开发出8英寸导电型衬底产品,国内衬底以4英寸为主,质量相对薄弱,主要用于生产10A以下小电流产品,目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的 2024年8月19日 近年来,意法半导体、Wolfspeed、英飞凌、罗姆、安森美、三安光电、三菱电机等各大厂商加大碳化硅衬底外延产能,碳化硅衬底出现了价格下滑现象,有业界人士认为,汽车是碳化硅最主要的应用市场之一,当主机厂降本压力与日俱增,碳化硅器件厂商也难逃碳化硅,跨入高速轨道-全球半导体观察
了解更多2023年12月5日 HT-CVD:起步晚,能够制备高纯度、高质量的半绝缘碳化硅晶体,但设备昂贵、高纯气体价格不菲。 LPE:尚未成熟,可以大幅降低生产温度、提升生产速度,且在此方法下熔体本身更易扩型,晶体质量亦大为提高,因而被认为是碳化硅材料走向低成本的较好路径,有积极 2022年8月15日 露笑科技主营业务是铜芯、铝芯电磁 线的生产与销售。公司与产业资本共同投资成立了露笑半导体材料有限公司,以 进行碳化硅晶体生长、衬底片和外延片研发、生产和销售。除了布局碳化硅衬底 业务,公司也具备碳化硅长晶炉的生产能力。碳化硅行业研究:SiC成本逐步下降,行业有望迎来爆发拐点 ...
了解更多2022年2月10日 其中,制造费用主要是设备折旧。 注意,生产碳化硅晶圆所需的核心设备是长晶炉和切割研磨设备。碳化硅企业通常会有大量长晶炉用于生产晶体,以天岳先进为例,其拥有生产设备共668台,其中长晶炉有585,占比88%,是主要的生产设备。2023年7月8日 聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发前言:当前碳化硅市场呈现欧美日三足鼎立的局面,面对下游需求持续增长、碳化硅产品供不应求的形式,国内外厂商均在加速研发、扩产,进军8英寸碳化硅。作者 方文三图片来源 网 络 8英寸是国产设备商的机遇期今年来,国际功率半导体 ...趋势丨国产碳化硅进击8英寸,竞争将更加激烈且复杂 - 腾讯网
了解更多碳化硅 碳化硅主要由SiC组成,是耐腐蚀性优越陶瓷材料,可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 ℃的温度下,碳化硅仍能保持其强度。 碳化硅相关产品 特点 结构 性能 特点 在高达1400℃的温度下,碳化硅甚至仍能保持其强度。 这种 2024年10月7日 由于铸造厂和制造设施数量减少等因素,生产设备的价格有所上涨。 由于缺乏现代化的技术设备,组装、测试和包装的最后阶段也更加昂贵。 此外,半导体应用转向氮化镓晶圆以及碳化硅生产过程中危险气体的释放可能对市场收入的扩张构成严重威胁。碳化硅晶圆市场规模、份额 2024年至2031年 - Business ...
了解更多2022年3月22日 生产工艺:较硅基半导体难度大幅增加;长晶环节是关键 碳化硅衬底:是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料,具备禁带宽 度大 ...2024年2月18日 SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于需要解决SiC晶体生长难度大、重复性低、生长良率低、长晶工艺各不相同以及设备高度定制化等挑战,未来设备技术将朝着自动化、高工艺重复性、提升晶体生长良率和厚度以及8时大直径长晶方向发展。半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解; - 知乎
了解更多2024年8月15日 目前中国工业生产的碳化硅分为黑碳化硅和绿碳化硅两种,都属于α-碳化硅。其中黑碳化硅含SiC约95%,其韧性高于绿碳化硅,大多用于加工抗张强度 ...2019年1月10日 价格方面,国际上的SiC产品价格是对应Si产品的5~6倍,正以每年10%的速度下降,随着上游材料器件纷纷扩产上线,未来2~3年后市场供应 加大,价格将进一步下降,预计价格达到对应Si产品2~3倍时,由系统成本减少和性能提升带来的优势将推动SiC ...科技前沿—第三代半导体技术—碳化硅SiC:技术和市场 - 知乎
了解更多3 天之前 长晶是碳化硅衬底生产 的核心环节,其中核心的设备是长晶炉。与传统晶硅级长晶炉有相同性,炉子结构不是非常复杂,主要由炉体、加热系统、线圈传动机构、真空获得及测量系统、气路系统、降温系统、控制系统等组成,其中的热场和工艺 ...2024年5月31日 目前,碳化硅单器件价格为硅器件的四五倍左右。 碳化硅器件实现产能优势及成本优化的最佳路径是将芯片制造从6英寸转到8英寸 ... 对于碳化硅晶圆制造设备与硅基晶圆制造设备的区别,赵奇表示:“其实,两者90%的设备是一样的。由于碳化硅 ...对话芯联集成总经理赵奇:8英寸碳化硅“器件制造”难在哪里?
了解更多2024年5月17日 4.碳化硅外延设备 碳化硅外延设备是 一种用于在碳化硅衬底上生长外延层的设备,碳化硅外延设备在制造高质量碳化硅外延片和晶片方面具有广泛的应用。在下游需求刺激下,近两年中国碳化硅外延片生产商掷出了数倍的扩产计划,我国碳化硅 ...
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